| 型号： | 2N7002DW-TP | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Micro Commercial Co | 描述： | MOSFET 2N-CH 60V 115MA SOT-363 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| 2N7002DW-TP PDF |  |
| 产品培训模块 | Diode Handling and Mounting |
| 标准包装 | 10 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1627 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 2N7002DW-TPDKR |